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2nm戰場,好戲來了
2025-04-03 20:44

2nm戰場,好戲來了

本文作者:豐寧,題圖來自:AI生成

文章摘要
臺積電、Intel、Rapidus和三星在2nm芯片領域展開激烈競爭。臺積電2nm預計2025年量產,價格高達3萬美元/片,良率超60%,蘋果或為首批客戶;Intel 18A工藝進入風險試產,計劃2025年量產;Rapidus獲日本政府支持,加速2nm研發;三星或推出2nm Exynos芯片。TechInsights分析認為Intel性能占優,臺積電密度領先。未來芯片制程將繼續向1.4nm演進,但技術難度和成本挑戰加劇。

? ??臺積電2nm定價:單片價格達3萬美元,蘋果或包攬首批產能

? ??Intel 18A進展:風險試產啟動,背面供電技術成反超關鍵

? ????Rapidus崛起:獲9200億日元補貼,本月啟動2nm中試線

? ??三星新動向:Exynos芯片或全系搭載2nm,命名策略生變

? ??技術對比戰:Intel 18A性能領先,臺積電N2密度優勢明顯

? ??未來制程競賽:臺積電布局1.4nm,三星1.4nm項目暫緩引擔憂

本周,2nm在各大網站強勢刷屏。


臺積電此前表示,2nm芯片將于4月1日起接受訂單預訂。隨著時間逐漸來到4月,它終于猶抱琵琶半遮面,緩緩露出真容。


臺積電、Intel、Rapidus等芯片巨頭均在本周再度更新了2nm芯片的量產進展。

 

一、臺積電2nm,價格高達3萬美元


價格方面,DigiTimes報道稱,客戶正在排隊等待成為第一批收到即將發貨的晶圓的一方,即使這意味著必須支付每片 30000 美元的高昂價格。


良率方面,根據此前信息,臺積電已在竹科寶山廠完成約5000片的風險試產,良率超過60%,并計劃于2025年下半年正式進入量產階段。


產地方面,根據臺積電的規劃,其2nm晶圓將于2025年下半年在新竹寶山廠和高雄廠同步量產。臺積電董事長魏哲家透露,客戶對于2nm技術的需求甚至超過了3nm同期,市場對于2nm芯片的熱情,可見一斑。



2022年12月,臺積電宣布量產3nm,屆時臺積電就曾做過預測,3nm制程技術量產第一年帶來的收入將優于5nm在2020年量產時的收益。想必2nm大規模量產之際,需求也會十分火爆。


產量方面,在新竹寶山晶圓廠(Fab 20)和高雄晶圓廠(Fab 22)共同貢獻下,預計到2025年底,臺積電2nm工藝的總月產能將突破5萬片晶圓。


為了滿足2nm的量產需求,臺積電也加大了對ASML的EUV光刻機的采購力度,在2024年就訂購了30臺,并且計劃在2025年再訂購35臺,其中還包括ASML最新推出的High-NA EUV光刻機,以在新竹和高雄等地建設更多2nm生產線。


預計到2026年,臺積電2nm芯片月產能將提升至每月12至13萬片。


潛在客戶方面,臺積電2nm制程芯片的潛在客戶包括蘋果、AMD、Intel、博通等。不過也有市場消息稱臺積電2nm制程的首批產能已被蘋果預訂,用于生產A20處理器。蘋果供應鏈知名分析師郭明錤也曾多次提及,iPhone 18系列將搭載的A20芯片,將采用臺積電尖端的2納米工藝制造。


不過,臺積電并未對單一客戶的產品信息發表評論,蘋果也未公布采用2nm制程的具體時間表。

 

二、2nm戰場,好戲來了


在先進制程的賽道上,3nm 制程的熱度還未完全消退,2nm 制程的角逐已正式開啟。臺積電搶先一步,率先實現量產,消息一出,迅速引發行業關注。


現下,其他芯片龍頭也坐不住了,正摩拳擦掌。2nm的市場,好戲正在開演。


Intel,18A進入風險試產


近日舉辦的Intel Vision 2025大會上,Intel正式宣布其Intel 18A工藝制程技術已進入風險生產階段。(18A等效于1.8nm級)


Intel代工服務副總裁 Kevin O'Buckley在Intel即將全面完成其“四年五個節點(5N4Y)” 計劃之際宣布了這一消息。


Kevin O'Buckley表示,風險試產雖然聽起來有點可怕,但實際上是一個產業的標準術語。 風險試產的重要性在于我們已經將技術發展到了可以量產的程度。


他還強調,Intel已經生產了大量Intel 18A測試芯片。 相較之下,風險試產包括將完整的芯片設計晶圓投少量生產,再通過調整其制造流程,并在實際生產運作中驗證節點和制程設計套件(PDK)。據悉,Intel將在2025年下半年擴大Intel 18A的產量。


據悉,Intel的下一代面向移動端筆記本的Panther Lake將于2025年下半年發布(預計命名為酷睿Ultra 300系列)。屆時,該款產品極有可能是Intel 18A的首款搭載產品。


2024年9月,Intel宣布,18A工藝進展順利且超過預期,Arrow Lake高性能處理器原定采用的20A工藝已經取消,改為外部代工制造。18A工藝在20A的基礎上打造,將成為首款同時采用PowerVia背面供電和RibbonFET環繞式柵極(GAA)晶體管技術的芯片。同時,Intel宣布將其資源從20A轉移到18A上。


關于Intel取消20A節點的原因,業內猜測主要有兩點:


其一,彼時,Intel正面臨財務業績壓力。去年8月初,Intel公布了糟糕的財報及財測數據,并宣布全球裁員15%、削減資本支出(到2025年削減100億美元資本支出)。在此背景下,取消20A工藝有助于節省生產資本支出,減輕財務壓力。Intel高層認為,節省下來的資金將用于推動更具潛力的18A工藝節點的發展。


其二,Intel對20A的興趣有限。此前Intel表示,已將其資源從20A轉移到18A上,這是受到18A良率指標強勁的推動。彼時18A的缺陷密度 (def/cm2) 已達到 0.40 以下,此后未有更新的良率數據更新。


按照Intel的愿景,18A將是其反超臺積電的關鍵節點。


Rapidus:本月內啟動中試線


此前很長時間,Rapidus的2nm制造規劃,也宣傳的沸沸揚揚。


Rapidus于2022年8月10日由軟銀、索尼、豐田等8家日本大公司共同籌辦。自成立以來,它便肩負著日本半導體復興的重任。在日本政府大力支持下,獲得了總計9200億日元補貼。有了資金的強力后盾,Rapidus在2nm芯片制造的道路上一路狂奔。


4月1日,Rapidus表示,該企業計劃在本月內基于已安裝的前端設備啟動中試線,實現 EUV 機臺的啟用并繼續引入其它設備,推進 2nm GAA 先進制程技術的開發。


Rapidus 將在本財年(結束于明年三月底)內向先行客戶發布 2nm 節點的 PDK(制程設計套件),為 2027 財年的中試線完成建設、測試芯片驗證乃至最終量產做好準備。


而在先進封裝方面,該企業計劃啟動中試線項目,進一步開發所需的 RDL 重布線層、3D 封裝技術、KGD篩選技術,并為客戶構建封裝組裝設計套件 ADK。


三星Exynos全新命名,2nm芯片或將到來


近日有消息稱,三星即將推出的新一代Exynos芯片將不再沿用預期的Exynos 2600之名,而是采用一個全新的命名。還有消息稱三星Galaxy S26系列或有可能全面告別驍龍平臺,轉而全系搭載三星自家研發的這款全新Exynos芯片。


據悉,這款備受期待的Exynos芯片將率先采用三星最新的2nm工藝制程,命名為SF2。根據三星的規劃,Exynos 2600的原型芯片預計將于今年5月開始量產,并將在Galaxy S26系列手機上首發搭載。


倘若真如上述所言,三星的2nm或許是最早到來的。


不過,業內對于三星的期待值似乎不算太高,這可能受到半個月前,其原計劃在2027年投產的1.4納米芯片項目擱置的影響。

 

三、2nm混戰,誰更勝一籌?


目前,臺積電與Intel兩家的呼聲要高于其他幾家芯片巨頭。


那么就這兩家公司而言,誰的工藝技術更勝一籌呢?


今年2月,TechInsights 和 SemiWiki 披露了Intel18A和臺積電 N2(2nm 級別)工藝上的關鍵信息。


先說該研究機構的結論:Intel 18A 工藝在性能方面更勝一籌,而臺積電的 N2 工藝則可能在晶體管密度方面更具優勢。




TechInsights分析指出,臺積電 N2 工藝的高密度(HD)標準單元晶體管密度達到了 313 MTr / mm2,遠超 Intel 18A (238 MTr / mm2) 和三星 SF2 / SF3P (231 MTr / mm2)


不過這樣的比較并不算完全準確,還有一些點需要注意。


第一,這個比較僅涉及HD標準單元。幾乎所有依賴前沿節點的現代高性能處理器都使用高密度(HD)、高性能(HP)和低功耗(LP)標準單元的組合,更不用說臺積電FinFlex和NanoFlex等技術的能力了。


第二,目前尚不清楚Intel和臺積電的HP和LP標準單元如何比較。雖然可以合理地假設N2在晶體管密度上具有領先優勢,但這種優勢可能并不像HD標準單元那樣巨大。


第三,在IEDM會議上提交的論文中,Intel和臺積電都披露了其下一代18A和N2制造工藝在性能、功耗和晶體管密度方面相對于前代的優勢。然而,目前還無法將這兩種制造技術直接進行比較。

再看TechInsights的結論。


在性能方面,TechInsights認為Intel的18A將領先于臺積電的N2和三星的SF2(前身為SF3P)。然而,TechInsights使用了一種有爭議的方法來比較即將推出的節點的性能,它使用臺積電的N16FF和三星的14納米工藝技術作為基準,然后加上兩家公司宣布的節點間性能改進來做出預測。雖然這可以作為一個估計,但可能并不完全準確。


此外,還有諸多需要注意的點,比如:Intel專注于制造高性能處理器,因此18A可能是為性能和能效而設計的,而不是為了HD晶體管密度。再或者Intel的背面供電技術也會對其產品起到加持作用。


在功耗方面,TechInsights的分析師認為,基于N2的芯片將比類似的基于SF2的集成電路消耗更少的功耗,因為臺積電近年來在功耗效率方面一直領先。至于Intel,這還有待觀察,但至少18A將在這方面提供優勢。


在產品規模化上市方面,或許Intel 18A早于臺積電2nm,上文曾提到Intel 18A的首批產品很可能是將于2025年下半年發布的Panther Lake,而搭載臺積電2nm的首批產品很可能是將于2026年發布的iPhone 18系列。


四、芯片巨頭的野心,不止2nm


從當前臺積電的規劃來看,其似乎并沒有打算在2nm上耗費太多的時間。


臺積電寶山P2(Fab20)工廠已經在為1.4nm工藝做內部準備,并取得了重大突破,但具體情況暫時不詳。


最近,臺積電甚至已經明確通知供應鏈,可以開始準備1.4nm工藝相關的設備了。


寶山P2被視為臺積電先進工藝的試驗田,一旦進展順利,P3、P4工廠也會加入其中,Fab 25工廠也可能會在1.4nm工藝上扮演重要角色。


業界預計,臺積電有望在2027年開始1.4nm工藝的風險性試產,2028年火力全開。


那么寫到這里,或許有人有這樣的疑問:芯片制程不斷縮小,真的有必要嗎?


眾所周知,隨著制程節點向更小尺寸演進,這讓制造芯片變得更難且更貴了。正如上文所言,Intel Arrow Lake放棄采用20A工藝,三星擱置1.4nm,這均是介于投入與回報差距的衡量。


彼時,制造更先進芯片宛如一場殘酷游戲,每一步都需謹小慎微。至于后續還會有哪些巨頭加入這場角逐?又將采取何種策略?一切都充滿未知......


可以確定的是,這場競賽,并不會輕易終止。

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